R6520ENZ4C13

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R6520ENZ4C13

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650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #R6520ENZ4C13

  • Auf Lager586

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 205mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 630µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 231W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247G

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