R8002ANJFRGTL

Abbildungen dienen nur als Referenz

R8002ANJFRGTL

+Stückliste

MOSFET N-CH 800V 2A LPTS

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #R8002ANJFRGTL

  • Auf Lager371

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 62W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package LPTS

Produkte, die mit R8002ANJFRGTL zusammenhängen