R8003KND3TL1

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R8003KND3TL1

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HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #R8003KND3TL1

  • Auf Lager990

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 2mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 300 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 45W (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252

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