RP1E100RPTR

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RP1E100RPTR

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MOSFET P-CH 30V 10A MPT6

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #RP1E100RPTR

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 12.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 39 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3600 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package MPT6

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