SCT3022ALHRC11

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SCT3022ALHRC11

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SICFET N-CH 650V 93A TO247N

  • HerstellerRohm Halbleiter

  • Herstellerteil #SCT3022ALHRC11

  • Auf Lager2808

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 93A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 18V
Rds On(Max) @ Id Vgs 28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.6V @ 18.2mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 133 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2208 pF @ 500 V
Power Dissipation (Max) 339W
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247N

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