SCTWA35N65G2V

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SCTWA35N65G2V

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TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247

  • HerstellerSTMikroelektronik

  • Herstellerteil #SCTWA35N65G2V

  • Auf Lager4579

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 18V, 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs 72mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.2V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 73 nC @ 20 V
Vgs(Max) +20V, -5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 73000 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 Long Leads

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