SI5906DU-T1-GE3

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SI5906DU-T1-GE3

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MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A
RdsOn(Max)@IdVgs 31mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.6nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 300pF @ 15V
Power-Max 10.4W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case PowerPAK® ChipFET™ Dual

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