SI5980DU-T1-GE3

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SI5980DU-T1-GE3

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MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 567mOhm @ 400mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.3nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 78pF @ 50V
Power - Max 7.8W
Mounting Type Surface Mount

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