SI7983DP-T1-E3

Abbildungen dienen nur als Referenz

SI7983DP-T1-E3

+Stückliste

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.7A
RdsOn(Max)@IdVgs 17mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 600µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 74nC @ 4.5V
Power-Max 1.4W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case PowerPAK® SO-8 Dual

Produkte, die mit SI7983DP-T1-E3 zusammenhängen