STB7ANM60N

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STB7ANM60N

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MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK

  • HerstellerSTMikroelektronik

  • Herstellerteil #STB7ANM60N

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 14 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 363 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 45W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D2PAK

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