STD11N65M2

Abbildungen dienen nur als Referenz

STD11N65M2

+Stückliste

MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

  • HerstellerSTMikroelektronik

  • Herstellerteil #STD11N65M2

  • Auf Lager118

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series MDmesh™ II Plus
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 12.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 410 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 85W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DPAK

Produkte, die mit STD11N65M2 zusammenhängen