STFI11NM65N

Abbildungen dienen nur als Referenz

STFI11NM65N

+Stückliste

MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package Tube
Series MDmesh™ II
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 455mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 800 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 25W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage I2PAKFP (TO-281)

Produkte, die mit STFI11NM65N zusammenhängen