STH360N4F6-2

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STH360N4F6-2

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MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

  • HerstellerSTMikroelektronik

  • Herstellerteil #STH360N4F6-2

  • Auf Lager919

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series DeepGATE™, STripFET™ VI
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 180A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.25mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 340 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 17930 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 300W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage H2Pak-2

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