STL18N60M2

Abbildungen dienen nur als Referenz

STL18N60M2

+Stückliste

MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series MDmesh™ II Plus
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 9A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 308mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 21.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 791 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 57W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PowerFlat™ (5x6) HV

Produkte, die mit STL18N60M2 zusammenhängen