STP10N60M2

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STP10N60M2

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MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

  • HerstellerSTMikroelektronik

  • Herstellerteil #STP10N60M2

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package Tube
Series MDmesh™ II Plus
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 400 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 85W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220

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