STP13N60DM2

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STP13N60DM2

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MOSFET N-CH 600V 11A TO220

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package Tube
Series MDmesh™ DM2
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 365mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 19 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 730 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 110W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220

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