TRS12E65C,S1Q

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TRS12E65C,S1Q

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DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

  • HerstellerToshiba Halbleiter und Speicher

  • Herstellerteil #TRS12E65C,S1Q

  • Paket TO-220-2

  • Auf Lager4886

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io) 12A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 12 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 90 µA @ 170 V
Capacitance @ Vr F 65pF @ 650V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-2L

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