TRS6E65C,S1AQ

Abbildungen dienen nur als Referenz

TRS6E65C,S1AQ

+Stückliste

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L

  • HerstellerToshiba Halbleiter und Speicher

  • Herstellerteil #TRS6E65C,S1AQ

  • Paket TO-220-2

  • Auf Lager6270

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io) 6A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 6 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 90 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 35pF @ 650V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-2L

Produkte, die mit TRS6E65C,S1AQ zusammenhängen