TRS8E65C,S1Q

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TRS8E65C,S1Q

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DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

  • HerstellerToshiba Halbleiter und Speicher

  • Herstellerteil #TRS8E65C,S1Q

  • Paket TO-220-2

  • Auf Lager4695

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tube
ProductStatus Obsolete
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 650 V
Current-AverageRectified(Io) 8A (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 90 µA @ 650 V
Capacitance@VrF 44pF @ 650V, 1MHz
MountingType Through Hole
Package/Case TO-220-2
SupplierDevicePackage TO-220-2L

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