VS-GB200TH120N

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VS-GB200TH120N

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IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK

  • HerstellerVishay General Semiconductor-Diodes Division

  • Herstellerteil #VS-GB200TH120N

  • Paket Double INT-A-PAK (3 + 4)

  • Auf Lager8312

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90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
Configuration Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 360 A
Power - Max 1136 W
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.35V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff(Max) 5 mA
Input Capacitance(Cies) @ Vce 14.9 nF @ 25 V
Input Standard
NTC Thermistor No
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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