WNSC2D04650DJ

Abbildungen dienen nur als Referenz

WNSC2D04650DJ

+Stückliste

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier WeEn Semiconductors
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 650 V
Current-AverageRectified(Io) 4A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 4 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 20 µA @ 650 V
Capacitance@VrF 125pF @ 1V, 1MHz
MountingType Surface Mount
Package/Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SupplierDevicePackage DPAK

Produkte, die mit WNSC2D04650DJ zusammenhängen

  • Schnellangebot

  • Senden Sie Ihre Angebotsanfrage für WNSC2D04650DJ Mit diesem Formular können Sie uns innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.