1EDN8550B vs 1EDN8550BXTSA1

Dieser detaillierte Vergleich von 1EDN8550B und 1EDN8550BXTSA1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification 1EDN8550B 1EDN8550BXTSA1
Part Status Active Active
Series - EiceDriver™
Driven Configuration - High-Side
Channel Type - Single
Number of Drivers - 1
Gate Type - N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 4.5V ~ 20V
Current - Peak Output(Source Sink) - 4A, 8A
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 84 V
Rise / Fall Time(Typ) - 6.5ns, 4.5ns
Operating Temperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
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