2N7002K-T1-E3 vs 2N7002ET1G
Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002ET1G und 2N7002K-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT-23-3
SOT-23-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
260mA (Ta)
300mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.5V @ 250µA
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
0.81 nC @ 5 V
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
26.7 pF @ 25 V
30 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
300mW (Tj)
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
-
TrenchFET®
