2N7002DW vs 2N7002ET1G
Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002ET1G und 2N7002DW bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT23-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
ProductStatus
Active
-
FETType
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
260mA (Ta)
-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
2.5V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
0.81 nC @ 5 V
-
Vgs(Max)
±20V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
26.7 pF @ 25 V
-
PowerDissipation(Max)
300mW (Tj)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
Part Status
-
Active
Base Product Number
-
2N7002
Configuration
-
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power - Max
-
200mW
Packaging
-
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
