2N7002DW vs 2N7002E-T1-E3
Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002DW und 2N7002E-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT23-3
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
240mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
21 pF @ 5 V
PowerDissipation(Max)
-
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Active
-
Base Product Number
2N7002
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
-
Power - Max
200mW
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
