2N7002DW vs 2N7002,215

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002,215 und 2N7002DW bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
2N7002,215

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6582 Stückzahl | Nexperia USA Inc.
2N7002DW

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6631 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT23-3
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Series TrenchMOS™ -
ProductStatus Active -
FETType N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 300mA (Ta) -
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V -
RdsOn(Max)@IdVgs 5Ohm @ 500mA, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA -
Vgs(Max) ±30V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50 pF @ 10 V -
PowerDissipation(Max) 830mW (Ta) -
OperatingTemperature -65°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Part Status - Active
Base Product Number - 2N7002
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power - Max - 200mW
Packaging - Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Vergleichsmodell : 2N7002,215 2N7002DW

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