2N7002KDW vs 2N7002DWA-7

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002KDW und 2N7002DWA-7 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002KDW

EVVO

Lifecycle
Active
Stock
9973 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
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Part B

2N7002DWA-7

Dioden Incorporated

Lifecycle
Active
Stock
4501 Stückzahl
Package
SC-88
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification 2N7002KDW 2N7002DWA-7
Supplier - Diodes Incorporated
Part Status Active Obsolete
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 180mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.87nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 22pF @ 25V
Power - Max 150mW (Ta) 300mW
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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