2N7002KDW vs 2N7002KDWA-TP

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002KDW und 2N7002KDWA-TP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002KDW

EVVO

Lifecycle
Active
Stock
9973 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
Part B

2N7002KDWA-TP

Micro Commercial Co.

Lifecycle
Active
Stock
6846 Stückzahl
Package
SC-88
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002KDW 2N7002KDWA-TP
Supplier - Micro Commercial Co
Part Status Active Obsolete
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 340mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 1mA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 40pF @ 10V
Power - Max 150mW (Ta) 150mW
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -