APT30DQ120BG vs APT30GS60KRG

Dieser detaillierte Vergleich von APT30DQ120BG und APT30GS60KRG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

APT30DQ120BG

Mikrochip-Technologie

Lifecycle: Active
Stock: 2721 Stückzahl
Package: TO-247-2
Series: Dioden-Gleichrichter

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Part B

APT30GS60KRG

Microsemi Corporation

Lifecycle: Active
Stock: 4233 Stückzahl
Package: TO-220-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	APT30DQ120BG	APT30GS60KRG
Supplier	-	Microchip Technology
Part Status	Active	Obsolete
IGBT Type	-	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	-	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	-	54 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	-	113 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	-	3.15V @ 15V, 30A
Power - Max	-	250 W
Switching Energy	-	570µJ (off)
Input Type	-	Standard
Gate Charge	-	145 nC
Td(on / off) @ 25°C	-	16ns/360ns
Test Condition	-	400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
Operating Temperature	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Diode Type	Standard	-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V	-
Current - Average Rectified(Io)	30A	-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	3.3 V @ 30 A	-
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-
Reverse Recovery Time (trr)	320 ns	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 µA @ 1200 V	-

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