AS4C64M16D3B-12BCN vs AS4C64M16D2-25BIN

Dieser detaillierte Vergleich von AS4C64M16D3B-12BCN und AS4C64M16D2-25BIN bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification AS4C64M16D3B-12BCN AS4C64M16D2-25BIN
Supplier - Alliance Memory, Inc.
Part Status Active Obsolete
Memory Type Volatile Volatile
Memory Format DRAM DRAM
Technology SDRAM - DDR3 SDRAM - DDR2
Memory Size 1Gb (64M x 16) 1Gb (64M x 16)
Memory Interface Parallel Parallel
Clock Frequency 800 MHz 400 MHz
Write Cycle Time - Word Page 15ns 15ns
Access Time 20 ns 400 ps
Voltage - Supply 1.425V ~ 1.575V 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature 0°C ~ 95°C (TC) -40°C ~ 95°C (TC)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount