BAS16W vs BAS16DXV6T1

Dieser detaillierte Vergleich von BAS16W und BAS16DXV6T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BAS16W

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1829 Stückzahl | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
BAS16DXV6T1

+Stückliste

3989 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-323 SOT-563, SOT-666
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD123 DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
DiodeConfiguration - 2 Independent
DiodeType Standard Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 75 V 75 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) - 200mA (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ReverseRecoveryTime(trr) 6 ns 6 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 1 µA @ 75 V 1 µA @ 75 V
OperatingTemperature-Junction - -55°C ~ 150°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-AverageRectified(Io) 200mA -
Capacitance@VrF 4pF @ 0V, 1MHz -
Vergleichsmodell : BAS16W BAS16DXV6T1

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