BAS21AHT1G vs BAS21UE6359HTMA1 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von BAS21AHT1G und BAS21UE6359HTMA1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BAS21AHT1G

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13599 Stückzahl | Onsemi
BAS21UE6359HTMA1

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2005 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOD-323 SOT-457
Beschreibung DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 DIODE GP 200V 125MA SC74
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series - Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Last Time Buy
Diode Configuration - 3 Independent
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 250 V 200 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) - 125mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 200 mA 1 V @ 100 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns 50 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 nA @ 200 V 100 nA @ 200 V
Operating Temperature - Junction - 150°C (Max)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Average Rectified(Io) 200mA (DC) -
Capacitance @ Vr F 5pF @ 0V, 1MHz -
Vergleichsmodell : BAS21AHT1G BAS21UE6359HTMA1

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