BC857BLT1G vs BC857BS

Dieser detaillierte Vergleich von BC857BLT1G und BC857BS bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

BC857BLT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7181 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage
Part B

BC857BS

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

Lifecycle
Active
Stock
1435 Stückzahl
Package
SOT-363
Series
Transistoren, Bipolar (BJT-Arrays)
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification BC857BLT1G BC857BS
Part Status Active Active
Transistor Type PNP 2 PNP (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 300mW
Frequency - Transition 100MHz 200MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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