BC857BLT1G vs BC857C

Dieser detaillierte Vergleich von BC857BLT1G und BC857C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

BC857BLT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7181 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage
Part B

BC857C

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

Lifecycle
Active
Stock
6157 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification BC857BLT1G BC857C
Part Status Active Active
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 220 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V
Power - Max 300 mW 200 mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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