BCP56T1G vs BCP56-10115 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von BCP56T1G und BCP56-10115 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BCP56T1G

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1856 Stückzahl | Onsemi
BCP56-10115

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8707 Stückzahl | NXP USA Inc.
Paket SOT-223-4 SOT-223-3
Beschreibung TRANS NPN 80V 1A SOT223 NOW NEXPERIA BCP56-10 - SMALL SI
Part Status Active Active
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 1 A -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 50mA, 500mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 150mA, 2V -
Power - Max 1.5 W -
Frequency - Transition 130MHz -
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Vergleichsmodell : BCP56T1G BCP56-10115

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