BCP56T1G vs BCP56-10115

Dieser detaillierte Vergleich von BCP56T1G und BCP56-10115 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BCP56T1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 1856 Stückzahl
Package: SOT-223-4
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

BCP56-10115

NXP USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 8707 Stückzahl
Package: SOT-223-3
Series: Spezialisierte ICs

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Full specification comparison

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Specification	BCP56T1G	BCP56-10115
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN	-
Current - Collector(Ic)(Max)	1 A	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	80 V	-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	500mV @ 50mA, 500mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	40 @ 150mA, 2V	-
Power - Max	1.5 W	-
Frequency - Transition	130MHz	-
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-

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