BSS138NH6327XTSA2 vs BSS138LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von BSS138NH6327XTSA2 und BSS138LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

BSS138LT1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
2952 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification BSS138NH6327XTSA2 BSS138LT1G
Series SIPMOS® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 230mA (Ta) 200mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.5Ohm @ 230mA, 10V 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.4V @ 26µA 1.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.4 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 41 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta) 225mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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