BSS84 vs BSS84-7-F

Dieser detaillierte Vergleich von BSS84-7-F und BSS84 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BSS84-7-F

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7426 Stückzahl | Dioden Incorporated
BSS84

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3000 Stückzahl | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Paket SOT-23-3 SOT-23
Beschreibung MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50 V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 130mA (Ta) -
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V -
RdsOn(Max)@IdVgs 10Ohm @ 100mA, 5V -
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 1mA -
Vgs(Max) ±20V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 45 pF @ 25 V -
PowerDissipation(Max) 300mW (Ta) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : BSS84-7-F BSS84

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