BYG10M-E3/TR vs BYG10Y-E3/TR

Dieser detaillierte Vergleich von BYG10M-E3/TR und BYG10Y-E3/TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BYG10M-E3/TR

Vishay General Semiconductor-Diodes Division

Lifecycle
Active
Stock
4670 Stückzahl
Package
DO-214AC
Series
Dioden-Gleichrichter
+Stückliste Anfrage
Part B

BYG10Y-E3/TR

Vishay General Semiconductor-Diodes Division

Lifecycle
Active
Stock
4402 Stückzahl
Package
DO-214AC
Series
Dioden-Gleichrichter
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BYG10M-E3/TR BYG10Y-E3/TR
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Part Status Active Active
Diode Type Avalanche Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000 V 1600 V
Current - Average Rectified(Io) 1.5A 1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4 µs 4 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 1000 V 1 µA @ 1600 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare Anfrage