C3M0075120K vs C3M0040120K

Dieser detaillierte Vergleich von C3M0075120K und C3M0040120K bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0075120K

Wolfspeed, Inc.

Lifecycle
Active
Stock
2764 Stückzahl
Package
TO-247-4
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

C3M0040120K

Wolfspeed, Inc.

Lifecycle
Active
Stock
2410 Stückzahl
Package
TO-247-4
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification C3M0075120K C3M0040120K
Series C3M™ C3M™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A (Tc) 66A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 20A, 15V 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 5mA 3.6V @ 9.2mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 51 nC @ 15 V 99 nC @ 15 V
Vgs(Max) +19V, -8V +15V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1350 pF @ 1000 V 2900 pF @ 1000 V
Power Dissipation (Max) 113.6W (Tc) 326W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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