C3M0075120K vs C3M0065090J

Dieser detaillierte Vergleich von C3M0075120K und C3M0065090J bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0075120K

Wolfspeed, Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 2764 Stückzahl
Package: TO-247-4
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

C3M0065090J

Wolfspeed, Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 6149 Stückzahl
Package: TO-263-7
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	C3M0075120K	C3M0065090J
Series	C3M™	C3M™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V	900 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	30A (Tc)	35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	15V	15V
Rds On(Max) @ Id Vgs	90mOhm @ 20A, 15V	78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 5mA	2.1V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	51 nC @ 15 V	30 nC @ 15 V
Vgs(Max)	+19V, -8V	+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1350 pF @ 1000 V	660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)	113.6W (Tc)	113W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Surface Mount

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