C3M0015065K vs C3M0065100K

Dieser detaillierte Vergleich von C3M0015065K und C3M0065100K bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0015065K

Wolfspeed, Inc.

Lifecycle
Active
Stock
3537 Stückzahl
Package
TO-247-4
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

C3M0065100K

Wolfspeed, Inc.

Lifecycle
Active
Stock
1451 Stückzahl
Package
TO-247-4
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification C3M0015065K C3M0065100K
Series C3M™ C3M™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 21mOhm @ 55.8A, 15V 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.6V @ 15.5mA 3.5V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 188 nC @ 15 V 35 nC @ 15 V
Vgs(Max) +15V, -4V +19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5011 pF @ 400 V 660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max) 416W (Tc) 113.5W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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