CSD16340Q3 vs CSD16409Q3

Dieser detaillierte Vergleich von CSD16340Q3 und CSD16409Q3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD16340Q3

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 5244 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

CSD16409Q3

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 6361 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	CSD16340Q3	CSD16409Q3
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V	25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	21A (Ta), 60A (Tc)	15A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	2.5V, 8V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	4.5mOhm @ 20A, 8V	8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.1V @ 250µA	2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	9.2 nC @ 4.5 V	5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	+10V, -8V	+16V, -12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1350 pF @ 12.5 V	800 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta)	2.6W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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