CSD16570Q5B vs CSD16321Q5

Dieser detaillierte Vergleich von CSD16570Q5B und CSD16321Q5 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD16570Q5B

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
2929 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

CSD16321Q5

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
7266 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Specification CSD16570Q5B CSD16321Q5
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V 25 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Ta) 31A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs 0.59mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.9V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V +10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14000 pF @ 12 V 3100 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 3.1W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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