CSD16409Q3 vs CSD16570Q5B
Dieser detaillierte Vergleich von CSD16570Q5B und CSD16409Q3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
25 V
25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
100A (Ta)
15A (Ta), 60A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
0.59mOhm @ 50A, 10V
8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1.9V @ 250µA
2.3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
250 nC @ 10 V
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
+16V, -12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
14000 pF @ 12 V
800 pF @ 12.5 V
PowerDissipation(Max)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
2.6W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
