CSD17303Q5 vs CSD17556Q5B Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von CSD17303Q5 und CSD17556Q5B bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
Beschreibung
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
34A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
1.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1.65V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
39 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
7020 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
3.2W (Ta)
3.1W (Ta), 191W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
+10V, -8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3420 pF @ 15 V
-
Packaging
Bulk
-
