CSD17310Q5A vs CSD17308Q3
Dieser detaillierte Vergleich von CSD17308Q3 und CSD17310Q5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
14A (Ta), 44A (Tc)
21A (Ta), 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
3V, 8V
3V, 8V
RdsOn(Max)@IdVgs
10.3mOhm @ 10A, 8V
5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id
1.8V @ 250µA
1.8V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
+10V, -8V
+10V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
700 pF @ 15 V
1560 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.7W (Ta)
3.1W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
