CSD17308Q3 vs CSD17579Q5A

Dieser detaillierte Vergleich von CSD17308Q3 und CSD17579Q5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17308Q3

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
5348 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

CSD17579Q5A

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
5567 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Specification CSD17308Q3 CSD17579Q5A
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 14A (Ta), 44A (Tc) 25A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 3V, 8V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 10.3mOhm @ 10A, 8V 9.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 5.1 nC @ 4.5 V 15.1 nC @ 10 V
Vgs(Max) +10V, -8V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 700 pF @ 15 V 1030 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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