CSD17310Q5A vs CSD17303Q5
Dieser detaillierte Vergleich von CSD17303Q5 und CSD17310Q5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
Beschreibung
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
+10V, -8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3420 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
3.2W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Bulk
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
21A (Ta), 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
3V, 8V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.8V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
+10V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1560 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
3.1W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
