CSD17570Q5B vs CSD17576Q5B

Dieser detaillierte Vergleich von CSD17570Q5B und CSD17576Q5B bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17570Q5B

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 2925 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

CSD17576Q5B

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 2263 Stückzahl
Package: TDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	CSD17570Q5B	CSD17576Q5B
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	100A (Ta)	100A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	0.69mOhm @ 50A, 10V	2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.9V @ 250µA	1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	121 nC @ 4.5 V	68 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	13600 pF @ 15 V	4430 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta)	3.1W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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