DG419DY+ vs DG419LDY-T1-E3 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von DG419DY+ und DG419LDY-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
DG419DY+

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1968 Stückzahl | Vishay Siliconix
DG419LDY-T1-E3

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6387 Stückzahl | Vishay Siliconix
Paket SOIC-8
Beschreibung IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
Supplier - Vishay Siliconix
Part Status Obsolete Obsolete
Switch Circuit SPDT SPDT
Multiplexer / Demultiplexer Circuit 2:1 2:1
Number of Circuits 1 1
On - State Resistance(Max) - 20Ohm
Voltage - Supply, Single (V+) 12V 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±) ±15V ±3V ~ 6V
Switch Time(Ton Toff)(Max) - 43ns, 31ns
Charge Injection 60pC 1pC
Channel Capacitance(CS(off)CD(off)) - 5pF
Current - Leakage(IS(off))(Max) - 1nA
Crosstalk - -71dB @ 1MHz
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number DG419 -
On - State Resistance (Max) 35Ohm -
Switch Time (Ton, Toff) (Max) 175ns, 145ns -
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)) 8pF, 8pF -
Current - Leakage (IS(off)) (Max) 250pA -
Packaging Tube -
Vergleichsmodell : DG419DY+ DG419LDY-T1-E3

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